1N8173USe3

Obrazy są tylko w celach informacyjnych

Dane techniczne

Producent
Microchip Technology
Kategorie
ESD Suppressors / TVS Diodes
Breakdown Voltage
77.9 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
113 V
Ipp - Peak Pulse Current
1.32 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
SQ-MELF-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
SMD/SMT
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
70 V

Najnowsze recenzje

it is safe and sound all, thank you seller!

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Może Ci się spodobać

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Osoby oglądające 1N8173USe3 następnie kupiły

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Powiązane słowa kluczowe dla 1N81

  • 1N8173USe3 Zintegrowany
  • 1N8173USe3 RoHS
  • 1N8173USe3 Arkusz danych PDF
  • 1N8173USe3 Arkusz danych
  • 1N8173USe3 Część
  • 1N8173USe3 Kupować
  • 1N8173USe3 Dystrybutor
  • 1N8173USe3 PDF
  • 1N8173USe3 Składnik
  • 1N8173USe3 Układy scalone
  • 1N8173USe3 ściągnij PDF
  • 1N8173USe3 Pobierz arkusz danych
  • 1N8173USe3 Dostawa
  • 1N8173USe3 Dostawca
  • 1N8173USe3 Cena £
  • 1N8173USe3 Arkusz danych
  • 1N8173USe3 Obraz
  • 1N8173USe3 Obrazek
  • 1N8173USe3 Inwentarz
  • 1N8173USe3 Zbiory
  • 1N8173USe3 Oryginalny
  • 1N8173USe3 Najtańszy
  • 1N8173USe3 Doskonały
  • 1N8173USe3 Bez ołowiu
  • 1N8173USe3 Specyfikacja
  • 1N8173USe3 Gorące oferty
  • 1N8173USe3 Cena Break
  • 1N8173USe3 Dane techniczne